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参数资料
| 型号： | FDMC8462 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 14A POWER33 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 13.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2660pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power33 |
| 供应商设备封装： | Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC8462DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = 13.5A
V DD = 16V
5000
8
V DD = 20V
1000
C iss
6
C oss
V DD = 24V
4
100
2
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
5
10
15
20
25
30
35
10
0.1
1
10
40
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
10
75
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10V
T J
= 25 o C
45
30
V GS = 4.5V
T J = 125 o C
15
R θ JC = 3 C/W
Limited by Package
o
1
0.01
0.1
1
10
100
400
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
2000
1000
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
1ms
10ms
100ms
100
10
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
SINGLE PULSE
0.1
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
1s
10s
T A = 25 o C
DC
1
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMC8462 Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC8554 | MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33 |
| FDMC8588 | MOSFET N-CH 25V 17A 8-MLP |
| FDMC86102LZ | MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP |
| FDMC86102L | MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 |
| FDMC86102 | MOSFET N-CH 100V 8-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8554 | 功能描述:MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8588 | 功能描述:MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8588DC | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86012 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86102 | 功能描述:MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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