- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC86102 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 8-MLP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC86102 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 8-MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 965pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC86102DKR |
September 2013
FDMC86102
N-Channel Shielded Gate PowerTrench ? MOSFET
100 V, 20 A, 24 m Ω
Features
General Description
Shielded Gate MOSFET Technology
This N-Channel MOSFET is
produced using Fairchild
Max r DS(on) = 24 m Ω at V GS = 10 V, I D = 7 A
Max r DS(on) = 38 m Ω at V GS = 6 V, I D = 5 A
Low Profile - 1 mm max in Power 33
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Top
Bottom
Semiconductor‘s advanced PowerTrench ? process that
incorporates Shielded Gate technology. This process has been
optimized for the on-state resistance and yet maintain superior
switching performance.
Application
DC - DC Conversion
S
Pin 1
S
S
G
S
S
D
D
S
D
D
D
D
D
G
D
Power 33
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
Parameter
T C = 25 °C
Ratings
100
±20
20
Units
V
V
I D
-Continuous
T A = 25 °C
(Note 1a)
7
A
-Pulsed
(Note 4)
60
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
72
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
41
2.3
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
3
53
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMC86102
Device
FDMC86102
Package
Power 33
Reel Size
13’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC86102 Rev.C3
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC86116LZ | MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP |
| FDMC8622 | MOSFET N-CH 100V 4A POWER33 |
| FDMC86240 | MOSFET N-CH 150V 16A POWER33 |
| FDMC86244 | MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 |
| FDMC86320 | MOSFET N CH 80V 10.7A 8-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC86102_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 100 V, 20 A, 24 m?? |
| FDMC86102L | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86102LZ | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86106LZ | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86106LZ_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 7.5 A, 103 m?? |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。