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参数资料
| 型号： | FDMC86244 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 134 毫欧 @ 2.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 345pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
November 2013
FDMC86244
N-Channel Shielded Gate PowerTrench ? MOSFET
150 V, 9.4 A, 134 m Ω
Features
General Description
Shielded Gate MOSFET Technology
This N-Channel MOSFET is
produced using Fairchild
Max r DS(on) = 134 m Ω at V GS = 10 V, I D = 2.8 A
Max r DS(on) = 186 m Ω at V GS = 6 V, I D = 2.4 A
Low Profile - 1 mm max in Power 33
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Top
Bottom
Semiconductor‘s advanced PowerTrench ? process that
incorporates Shielded Gate technology. This process has been
optimized for the on-state resistance and yet maintain superior
switching performance.
Application
DC - DC Conversion
8
7
6
5
D D D D
S
D
S
S
D
D
1
2 3 4
G S S S
G
D
MLP 3.3x3.3
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
Parameter
T C = 25°C
Ratings
150
±20
9.4
Units
V
V
I D
-Continuous
T A = 25°C
(Note 1a)
2.8
A
-Pulsed
12
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
12
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
26
2.3
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to + 150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
4.7
125
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMC86244
Device
FDMC86244
Package
Power 33
Reel Size
13’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC86244 Rev.C3
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDMC86261P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 150V |
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| FDMC86324 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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