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参数资料
| 型号： | FDMC86244 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 134 毫欧 @ 2.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 345pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = 2.8 A
V DD = 50 V
1000
C iss
6
V DD = 75 V
V DD = 100 V
100
C oss
4
10
2
f = 1 MHz
0
0
1
2
3
4
5
1
0.1
V GS = 0 V
1
10
C rss
100
R θ JC = 4.7 C/W
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
o
8
6
T J = 25 o C
T J = 100 o C
8
6
V GS = 6 V
V GS = 10 V
4
4
2
T J = 125 o C
2
1
0.001
0.01
0.1
1
2
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
20
10
1
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
100 μ s
1 ms
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
1000
100
THIS AREA IS
10 ms
0.1
0.01
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
100 ms
1s
10 s
DC
10
1
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10
10
10
0.001
0.1
1
10
100
500
0.5 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC86244 Rev.C3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDMC86324 | MOSFET N-CH 80V 20A POWER33 |
| FDMC86520L | MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC86248 | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86260 | 功能描述:MOSFET NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86261P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 150V |
| FDMC86320 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86324 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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