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参数资料
| 型号： | FDMC86102 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 8-MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 965pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC86102DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
1000
8
I D = 7 A
V DD = 50 V
C iss
6
V DD = 25 V
V DD = 75 V
C oss
100
4
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
10
0
2
4
6
8
10
12
14
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
9
8
7
6
30
25
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
5
4
3
T J = 25 o C
T J = 100 o C
20
15
Limited by Package
V GS = 6 V
V GS = 10 V
R θ JC = 3 C/W
2
T J = 125 o C
10
5
o
1
0.01
0.1
1
10
30
0
25
50
75
100
125
150
T c , CASE TEMPERATURE ( C )
200
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
10 μ s
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
10000
10
THIS AREA IS
100 μ s
1000
1
LIMITED BY r DS(on)
1 ms
SINGLE PULSE
10 ms
100
0.1
0.01
T J = MAX RATED
R θ JC = 3.0 o C/W
T C = 25 o C
CURVE BENT TO
MEASURED DATA
DC
10
SINGLE PULSE
R θ JC = 3.0 o C/W
T C = 25 o C
10
10
10
10
10
0.1
1
10
100
-5
-4
-3
-2
-1
1
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC86102 Rev.C3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMC86102L | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86102LZ | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86106LZ | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86106LZ_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 7.5 A, 103 m?? |
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