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参数资料
| 型号： | FDMC8554 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 16.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3380pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC8554DKR |
December 2013
FDMC8554
N-Channel Power Trench ? MOSFET
20V, 16.5A, 5m Ω
Features
Max r DS(on) = 5m Ω at V GS = 10V, I D = 16.5A
Max r DS(on) = 6.4m Ω at V GS = 4.5V, I D = 14A
Low Profile - 1mm max in Power 33
General Description
This N-Channel MOSFET is a rugged gate version of
Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench
process. It has been optimized for power management
applications.
RoHS Compliant
Application
DC - DC Conversion
Top
Pin 1
Bottom
S
S
S
G
D
D
5
6
4
3
G
S
D
D
D
D
D
D
7
8
2
1
S
S
MLP 3.3x3.3
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25°C
Ratings
20
±20
16.5
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
72
16.5
A
-Pulsed
36
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
41
2.0
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
3
60
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMC8554
Device
FDMC8554
Package
Power 33
Reel Size
7’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8554 Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDMC8588DC | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDMC86102 | 功能描述:MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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