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参数资料
| 型号： | FDMC8554 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 16.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3380pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC8554DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
5000
8
I D = 16.5A
V DD = 5V
C iss
6
V DD = 10V
1000
C oss
4
2
V DD = 15V
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
10
20 30
40
50
100
0.1
1
10
20
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
40
80
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
60
V GS = 10V
10
T J = 25 o C
40
T J = 125 o C
20
Limited by Package
V GS = 4.5V
R θ JC = 3 C/W
o
10
10
10
10
10
10
1
-2
-1
0
1
2
3
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
100
10
r DS(on) LIMITED
1ms
300
100
V GS = 10V
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
------------------------
1
10ms
10
I = I 25
125
A
100ms
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA =135 O C
T A = 25 O C
1s
10s
DC
1
SINGLE PULSE
O
R =135 C
θ JA
10
10
10
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.5
-3
-2
-1
0
1
2
3
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMC8554 Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC8588 | MOSFET N-CH 25V 17A 8-MLP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8588 | 功能描述:MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8588DC | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86012 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86102 | 功能描述:MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86102_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 100 V, 20 A, 24 m?? |
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