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参数资料
| 型号： | FDMC8554 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 16.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3380pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC8554DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
200
3
150
V GS =5V
V GS = 10V
V GS = 4.5V
2
V GS = 3.5V
V GS = 4V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 5V
V GS = 4V
100
V GS =4.5V
1
50
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 3.5V
V GS = 10V
0
0
1
2 3 4
5
0
0
50 100 150
200
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
20
15
I D = 16.5A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.2
10
1.0
T J = 125 o C
0.8
I D = 16.5A
V GS = 10V
5
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
3
4 5 6 7 8 9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
100
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0V
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
75
V DD = 5V
T J = 150 o C
50
T J = 150 o C
1
T J = 25 o C
0.1
25
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
0
1 2 3
4
1E-3
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMC8554 Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMC86102 | 功能描述:MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86102_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 100 V, 20 A, 24 m?? |
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