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参数资料
| 型号： | FDMC86102L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1330pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC86102LFSDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
2000
8
6
I D = 7 A
V DD = 25 V
1000
100
C iss
C oss
V DD = 50 V
4
2
V DD = 75 V
10
C rss
f = 1 MHz
0
0
4
8
12
16
V GS = 0 V
1
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
30
25
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs. Drain
to Source Voltage
10
T J = 25 o C
20
T J = 100 o C
15
Limited by package
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
R θ JC = 3 C/W
10
T J = 125 o C
5
o
1
0.01
0.1
1
10
30
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
40
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs. Case Temperature
1000
10
100 us
100
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
1 ms
1
THIS AREA IS
LIMITED BY rDS ( on )
10 ms
10
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
100 ms
1s
10
10
10
0.01
0.01
T A = 25 o C
0.1
1
10
10s
DC
100
500
1
0.5 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC86102L Rev.C3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC86102 | MOSFET N-CH 100V 8-MLP |
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| FDMC8622 | MOSFET N-CH 100V 4A POWER33 |
| FDMC86240 | MOSFET N-CH 150V 16A POWER33 |
| FDMC86244 | MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC86102LZ | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86106LZ | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86106LZ_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 7.5 A, 103 m?? |
| FDMC86116LZ | 功能描述:MOSFET 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86160 | 功能描述:MOSFET 30V 2xNCh Power Clip PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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