- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC86240 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 150V 16A POWER33 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC86240 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 16A POWER33 |
| 产品目录绘图： | FDMC86240 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 51 毫欧 @ 4.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 905pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC86240DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
20
15
V GS = 10 V
V GS = 6 V
V GS = 5.5 V
V GS = 5 V
3.0
2.5
V GS = 4.5 V
V GS = 5 V
2.0
10
V GS = 4.5 V
1.5
V GS = 5.5 V
5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 6 V
V GS = 10 V
0
0.5
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.2
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
200
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
I D = 4.6 A
V GS = 10 V
150
100
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
I D = 4.6 A
T J = 125 o C
0.8
0.6
50
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs. Junction Temperature
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs. Gate to
Source Voltage
20
10 V GS = 0 V
15
10
V DS = 5 V
T J = 150 o C
T J =
25 o C
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
5
0
T J =
-55 o C
0.01
0.001
T J = -55 o C
2
3
4
5
6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs. Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC86240 Rev.C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC86244 | MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 |
| FDMC86320 | MOSFET N CH 80V 10.7A 8-MLP |
| FDMC86324 | MOSFET N-CH 80V 20A POWER33 |
| FDMC86520L | MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP |
| FDMC8854 | MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC86244 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86248 | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86260 | 功能描述:MOSFET NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86261P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 150V |
| FDMC86320 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。