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参数资料
| 型号： | FDMC86240 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 16A POWER33 |
| 产品目录绘图： | FDMC86240 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 51 毫欧 @ 4.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 905pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC86240DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
6
I D = 4.6 A
V DD = 50 V
V DD = 100 V
2000
1000
100
C iss
4
2
V DD = 75 V
10
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
0
1
0
2
4
6
8
10
12
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
6
5
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs. Drain
to Source Voltage
4
T J = 25 o C
15
3
T J = 100 o C
10
Limited by Package
V GS = 10 V
R θ JC = 3.1 C/W
2
1
T J = 125 o C
5
0
o
V GS = 6 V
0.1
1
10
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
30
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs. Case Temperature
2000
R θ JA = 125 C/W
10
100 us
1000
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
o
T A = 25 C
o
1
THIS AREA IS
1 ms
10 ms
100
0.1
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
100 ms
10
10
10
10
10
0.01
0.005
0.1
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
1
10
100
1s
10 s
DC
500
1
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC86240 Rev.C3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDMC86324 | MOSFET N-CH 80V 20A POWER33 |
| FDMC86520L | MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC86244 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86248 | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86260 | 功能描述:MOSFET NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86261P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 150V |
| FDMC86320 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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