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参数资料
| 型号： | FDMC8884 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A POWER33 |
| 产品目录绘图： | MOSFET MLP 3.3x3.3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 685pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC8884DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
6
I D = 9.0 A
V DD = 15V
1000
C iss
C oss
4
V DD = 10 V
V DD = 20 V
2
100
f = 1 MHz
C rss
V GS = 0 V
0
0
3
6
9
12
50
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
20
V GS = 10 V
T J = 25 o C
R θ JC = 6.6 C/W
T J = 100 o C
T J = 125 o C
10
Limited by Package
o
V GS = 4.5 V
1
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
1000
10
100 us
100
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
1 ms
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10 ms
100 ms
10
R θ JA = 125 C/W
10
10
10
10
0.1
0.01
0.01
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
0.1
1
10
1s
10 s
DC
100
1
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8884 Rev.E3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMC89521L | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME0106NZT | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDME1023PZT | 功能描述:MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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