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参数资料
| 型号： | FDME1024NZT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET |
| 标准包装： | 5,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
4.5
3.0
1.5
I D = 3.4 A
V DD = 8 V
V DD = 10 V
V DD = 12 V
500
100
C iss
C oss
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0.0
10
0
1
2
3
0.1
1
10
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10
10
10
1
100 μ s
1 ms
-1
-2
-3
V GS = 0 V
10
10
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10 ms
100 ms
-4
-5
T J = 125 o C
10
10
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 195 o C/W
1s
10 s
DC
-6
-7
T A = 25 C
10
10
0.01
0.1
o
1 10
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
50
-8
-9
0
T J = 25 o C
3 6 9 12
V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
15
Figure 9. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 10. Gate Leakage Current vs
R θ JA = 195 C/W
T A = 25 C
Gate to Source Voltage
100
SINGLE PULSE
o
o
10
1
0.5
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
FDME1024NZT Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDME1034CZT | MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET |
| FDME410NZT | MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET |
| FDME905PT | MOSFET P-CH 12V 6-UMLP |
| FDML7610S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-MLP |
| FDMQ8203 | MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDME1024NZT ENG | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDME1034CZT | 功能描述:MOSFET 20V Complementary PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME410NZT | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME430NT | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME510PZT | 功能描述:MOSFET -20V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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