参数资料
型号: FDME410NZT
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 26 毫欧 @ 7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1025pF @ 10V
功率 - 最大: 700mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: MicroFet 1.6x1.6
包装: 标准包装
其它名称: FDME410NZTDKR
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
P DM
R θ JA =175 C/W
0.01
0.01
SINGLE PULSE
o
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 12. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDME410NZT Rev.C3
5
www.fairchildsemi.com
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