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参数资料
| 型号： | FDMS0312S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 19A POWER56 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.4 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2820pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (continued)
SyncFET Schottky body diode
10
Characteristics
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in parallel
with PowerTrench MoSFET. This diode exhibits similar
characteristics to a discrete external Schottky diode in parallel
with a MOSFET. Figure 14 shows the reverses recovery
characteristic of the FDMS031 2 S.
20
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at high tem-
perature and high reverse voltage. This will increase the power
in the device.
-2
T J = 125 o C
10
15
-3
T J = 100 o C
10
di/dt = 300 A/ s
10
-4
5
T J = 25 o C
10
0
-5
10
-5
0
30
60
90
120
150
-6
0
5
10
15
20
25
30
TIME (ns)
Figure 14. FDMS031 2 S SyncFET body
diode reverse recovery characteristic
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 15. SyncFET body diode reverses
leakage versus drain-source voltage
FDMS031 2 S Rev.D
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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