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参数资料
| 型号： | FDMS2672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 22/Aug/2007 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 77 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2315pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS2672DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
40
PULSE DURATION = 80 P s
3.0
PULSE DURATION = 80 P s
30
20
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 10V
V GS = 6V
V GS = 8V
2.5
2.0
1.5
V GS = 5V
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 6V
V GS = 8V
10
0
V GS = 5V
1.0
0.5
V GS = 10V
0
1 2 3
4
0
10 20
30
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
2.4
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
200
2.2
2.0
I D = 3.7A
V GS = 10V
175
I D = 4.5A
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
150
125
100
T A = 150 o C
0.8
0.6
75
T A = 25 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
50
4
5 6 7 8 9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
25
20
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
40
10
V GS = 0V
T J = 150 o C
15
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
T J = 25 o C
10
T J = -55 o C
0.1
5
0.01
T J = -55 o C
0
2
3
4 5 6
7
1E-3
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMS2672 Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDMS3006SDC | 功能描述:MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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