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参数资料
| 型号： | FDMS3500 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56 |
| 产品变化通告： | Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.5 毫欧 @ 11.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 91nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4765pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS3500DKR |
May 2009
N-Channel Power Trench MOSFET
FDMS3500
75V, 49A, 14.5m
Features
?
General Description
tm
Max r DS(on) = 14.5m
Max r DS(on) = 16.3m
at V GS = 10V, I D = 11.5A
at V GS = 4.5V, I D = 10A
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
Advanced Package and Silicon combination for low r DS(on)
MSL1 robust package design
yet maintain superior switching performance.
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Top
Bottom
Application
DC - DC Conversion
S
S
S
Pin 1
G
D
D
5
6
4
3
G
S
D
7
2
S
D
D
D
D
D
8
1
S
Power 56
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25°C
Ratings
75
±20
49
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
57
9.2
A
-Pulsed
100
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
384
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
96
2.5
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R
R
JC
JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
1.3
50
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMS3500
Device
FDMS3500
Package
Power 56
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Quantity
3000 units
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3500 Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3572 | MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 |
| FDMS3600S | MOSFET N-CH 25V 15A 8-PQFN |
| FDMS3602S | MOSFET N-CH 25V DUAL POWER56 |
| FDMS3604AS | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| FDMS3606AS | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3572 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3572_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 80V, 22A, 16.5mз |
| FDMS3600S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3602S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3604AS | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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