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参数资料
| 型号： | FDMS2734 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 22/Aug/2007 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 122 毫欧 @ 2.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2365pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS2734DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
30
PULSE DURATION = 80 P s
2.2
PULSE DURATION = 80 P s
25
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 6V
2.0
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
20
15
V GS = 10V
V GS = 5V
1.8
1.6
V GS = 4.5V
V GS = 5V
1.4
V GS = 6V
10
V GS = 4.5V
1.2
5
1.0
V GS = 10V
0
0
1 2 3 4
5
0.8
0
5
10 15 20
25
30
2.4
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
400
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
2.2
2.0
1.8
I D = 2.8A
V GS = 10V
320
I D = 7A
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 150 o C
1.6
1.4
1.2
240
1.0
0.8
0.6
0.4
160
80
T J = 25 o C
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
4
6 8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
16
20
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
V GS = 0V
12
8
4
T J = 150 o C
T J = -55 o C
T J = 25 o C
1
0.1
0.01
T J = 150 o C
T J = -55 o C
T J = 25 o C
0
1E-3
2
3 4 5
6
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMS2734 Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3006SDC | 功能描述:MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3008SDC | 功能描述:MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3016DC | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Dual Cool PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3500 | 功能描述:MOSFET 75V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3572 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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