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参数资料
| 型号： | FDMS3572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16.5 毫欧 @ 8.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2490pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS3572DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
60
3.5
50
40
V GS = 10V
V GS = 8V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
3.0
2.5
V GS = 5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 6V
30
20
2.0
1.5
V GS = 6V
V GS = 8V
10
V GS = 5V
1.0
V GS = 10V
0
0
1 2 3
4
0.5
0
10
20 30 40
50
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
I D = 8.8A
V GS = 10V
50
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.6
1.4
40
T J = 150 o C
1.2
1.0
0.8
30
20
I D = 9A
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
10
4
5 6 7 8 9
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
50
PULSE DURATION = 80 μ s
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0V
40
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
30
20
10
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
1
0.1
0.01
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
2
3
4 5 6
7
1E-3
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMS3572 Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3600S | MOSFET N-CH 25V 15A 8-PQFN |
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| FDMS3606AS | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3572_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 80V, 22A, 16.5mз |
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| FDMS3602S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3604AS | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3606AS | 功能描述:MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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