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参数资料
| 型号： | FDMS3572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16.5 毫欧 @ 8.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2490pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS3572DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
V DD = 30V
4000
C iss
6
4
V DD = 40V
V DD = 50V
1000
C oss
2
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
10 20
30
50
0.1
1 10
100
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
9
8
7
6
5
50
40
V GS = 10V
4
3
T J =
25 o C
30
V GS = 6V
2
T J = 125 o C
20
Limited by Package
R θ JC = 1.6 C/W
10
o
1
0.01
0.1 1 10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
50
10
100us
1ms
2000
1000
V GS = 10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
-----------------------
1
10ms
100
I = I 25
125
A
0.1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
100ms
1s
10
T A = 25 o C
LIMITED BY r DS(on)
10s
0.01
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
DC
1
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
0.1
1
TA =
25 O C
10
100
300
0.3
-3
-2
-1
0
1
2
3
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMS3572 Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3600S | MOSFET N-CH 25V 15A 8-PQFN |
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| FDMS3606AS | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
| FDMS3615S | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3572_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 80V, 22A, 16.5mз |
| FDMS3600S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3602S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3604AS | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3606AS | 功能描述:MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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