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参数资料
| 型号： | FDMS3600S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 15A 8-PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（非对称桥） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1680pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS3600SFSDKR |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DS S
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current,
Forward
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = 1 mA, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = 10 mA, referenced to 25 °C
V DS = 20 V, V GS = 0 V
V GS = 20 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
25
25
20
18
1
500
100
100
V
mV/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th )
Δ T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = 1 mA
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = 10 mA, referenced to 25 °C
Q1
Q2
Q1
Q2
1.1
1
1.8
1.5
-6
-5
2.7
3
V
mV/°C
V GS = 10 V, I D = 15 A
4.3
5.6
V GS = 4.5 V, I D = 14 A
Q1
6.2
8.1
r DS(on)
Drain to Source On Resistance
V GS = 10 V, I D = 15 A , T J = 125 °C
V GS = 10 V, I D = 30 A
V GS = 4.5 V, I D = 25 A
Q2
5.9
1.3
1.7
8.7
1.6
2.4
m Ω
V GS = 10 V, I D = 30 A , T J = 125 °C
1.8
2.7
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 15 A
V DS = 5 V, I D = 30 A
Q1
Q2
67
171
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q1:
V DS = 13 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q2:
V DS = 13 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
1264
4042
340
1207
58
148
1680
5375
450
1605
90
220
pF
pF
pF
R g
Gate Resistance
Q1
Q2
0.2
0.2
0.6
0.9
2
3
Ω
Switching Characteristics
t d(on)
Turn-On Delay Time
Q1
Q2
7.9
13
16
23
ns
t r
t d(off)
t f
Q g
Q g
Q gs
Q gd
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Q1:
V DD = 13 V, I D = 15 A, R GEN = 6 Ω
Q2:
V DD = 13 V, I D = 30 A, R GEN = 6 Ω
V GS = 0 V to 10 V Q1
V DD = 13 V,
V GS = 0 V to 4.5 V I D = 15 A
Q2
V DD = 13 V,
I D = 30 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
2
5.3
19
38
1.8
3.9
19
59
9
27
3.9
11
2.4
5.8
10
11
34
60
10
10
27
82
13
38
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3600S Rev.C3
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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