- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录421 > FDMS3668S (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMS3668S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A，18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1765pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Dimensional Outline and Pad Layout
4.00
(2X )
0.10 C
8
5.10
4.90
PKG
CL
5
A
B
8
7
CL
6
5
1.27 TYP
0.65 TYP
0.63
2.52
1.60
PKG C L
6.25
5.90
2.15
4.16
2.13
KEEP OUT AREA
0.00 CL
1.21
2.31
PIN # 1
INDICATOR
1
TOP VIEW
4
0.10 C
(2 X)
0.63
1
2
3
0.59
4
3.15
3.18
5.10
SIDE VIEW
SEE
DETAIL A
RECOMMENDED LAND PATTERN
FOR SAWN / PUNCHED TYPE
0.1 0
0.0 5
C A B
C
0 .10 C
0.35
0.30
(6X)
0.65
0.38
1
2
3.16
2.80
3
4
0.70
0.36
1.34
1.12
8X
0.08 C
1.10
0.90
0.35
0.15
0.05
0.00
C
SEATING
P LANE
0.66? 05
DETAIL 'A'
4.08
3.70
2.25
2.05
(SCALE: 2X)
0.65
0.38
0.44
0.24
8
7
6
1.27
5
1.02
0.82
0.61 (8X)
0.31
3.81
BOTTOM VIEW
OPTION - A (SAWN TYPE)
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3668S Rev.C3
14
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3672 | MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8 |
| FDMS3686S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| FDMS4435BZ | MOSFET P-CH DUAL POWER56 |
| FDMS5352 | MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56 |
| FDMS5672 | MOSFET N-CH 60V 10.6A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3669S | 功能描述:MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3672 | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS3686S | 功能描述:MOSFET 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS4435BZ | 功能描述:MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS5352 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。