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参数资料
| 型号： | FDMS3668S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A，18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1765pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DS S
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = 1 mA, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = 10 mA, referenced to 25 °C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V GS = 20 V, V DS = 0 V
V GS = 12 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
16
17
1
500
100
100
V
mV/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th )
Δ T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = 1 mA
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = 10 mA, referenced to 25 °C
Q1
Q2
Q1
Q2
1.1
1.1
1.9
1.5
-6
-3
2.7
2.2
V
mV/°C
V GS = 10 V, I D = 13 A
4
8
V GS = 4.5 V, I D = 11 A
Q1
6
11
r DS(on)
Drain to Source On Resistance
V GS = 10 V, I D = 13 A , T J = 125 °C
V GS = 10 V, I D = 18 A
V GS = 4.5 V, I D = 17 A
Q2
5.7
3
3.6
8.7
5
5.2
m Ω
V GS = 10 V, I D = 18 A , T J = 125 °C
4.4
7.3
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 13 A
V DS = 5 V, I D = 17 A
Q1
Q2
62
110
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q1:
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q2:
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
1325
1935
466
479
46
45
1765
2575
620
635
70
70
pF
pF
pF
R g
Gate Resistance
Q1
Q2
0.2
0.2
0.6
1.3
2
3
Ω
Switching Characteristics
t d(on)
Turn-On Delay Time
Q1
Q2
7.7
7.1
15
14
ns
t r
t d(off)
t f
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q1:
V DD = 15 V, I D = 13 A, R GEN = 6 Ω
Q2:
V DD = 15 V, I D = 17 A, R GEN = 6 Ω
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
2.2
2.7
19
25
1.8
1.9
10
10
34
40
10
10
ns
ns
ns
Q g
Total Gate Charge
V GS = 0 V to 10 V
Q1:
Q1
Q2
21
27
29
38
nC
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
V DD = 15 V,
V GS = 0 V to 4.5 V I D = 13 A
Q2:
V DD = 15 V,
I D = 17 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
9.5
12
3.9
4
2.6
2.5
13
17
nC
nC
nC
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3668S Rev.C3
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3672 | MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS3669S | 功能描述:MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDMS5352 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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