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参数资料
| 型号： | FDMS3686S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A，23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1785pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (continued)
SyncFET Schottky body diode
Characteristics
10
10
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in parallel
with PowerTrench MOSFET. This diode exhibits similar
characteristics to a discrete external Schottky diode in parallel
with a MOSFET. Figure 27 shows the reverse recovery
characteristic of the FDMS3686S.
25
20
didt = 300 A/ μ s
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at high tem-
perature and high reverse voltage. This will increase the power
in the device.
-2
T J = 125 o C
-3
15
T J = 100 o C
10
10
5
-4
10
0
-5
T J = 25 o C
10
-5
0
50
100
150
200
-6
0
5
10
15
20
25
30
TIME (ns)
Figure 27. FDMS3686S SyncFET body
diode reverse recovery characteristic
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 28. SyncFET body diode reverse
leakage versus drain-source voltage
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3686S Rev.C1
10
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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