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参数资料
| 型号： | FDMS3686S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A，23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1785pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (Q2 N-Channel) T J = 25 o C unless otherwise noted
10
8
I D = 23 A
10000
C iss
1000
6
4
V DD = 10 V
V DD = 20 V
V DD = 15 V
100
C oss
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
5
10
15
20
25
30
10
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 20. Gate Charge Characteristics
70
T J = 25 o C
160
120
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 21. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
10
T J = 125
o C
T J = 100 o C
80
40
V GS = 4.5 V
Limited by Package
R θ JC = 2.0 C/W
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
200
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 22. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 23. Maximun Continuous Drain
Current vs Case Temperature
10000
100
100 us
SINGLE PULSE
10
1000
R θ JA = 120 o C/W
T A = 25 o C
THIS AREA IS
1 ms
100
1
LIMITED BY rDS ( on )
SINGLE PULSE
10 ms
100 ms
1s
10
R θ JA = 120 C/W
10
10
10
10
0.1 T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
0.01
0.01 0.1
1
10
10s
DC
100200
1
0.1
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 24. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 25. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3686S Rev.C1
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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