- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录421 > FDMS3686S (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMS3686S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A，23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1785pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25 °C unless otherwise noted
10
2000
I D = 13 A
V DD = 10 V
1000
C iss
8
V DD = 15 V
6
C oss
4
2
V DD = 20 V
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
5
10
15
20
25
10
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
70
60
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J
= 100 o C
40
30
20
V GS = 4.5 V
Limited by Package
R θ JC = 3.5 C/W
10
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
1000
10
100us
1 ms
100
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
R θ JA = 125 C/W
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY rDS ( on )
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
10 ms
100 ms
1s
10s
DC
10
1
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100 200
0.1
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS3686S Rev.C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS4435BZ | MOSFET P-CH DUAL POWER56 |
| FDMS5352 | MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56 |
| FDMS5672 | MOSFET N-CH 60V 10.6A POWER56 |
| FDMS6673BZ | MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56 |
| FDMS6681Z | MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS4435BZ | 功能描述:MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS5352 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS5672 | 功能描述:MOSFET 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS5672_0712 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET |
| FDMS6673BZ | 功能描述:MOSFET -30V 28A P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。