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参数资料
| 型号： | FDMS4435BZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL POWER56 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
50
40
V GS = -10 V
V GS = -6 V
4.0
3.5
V GS = -3.5 V
V GS = -4 V
30
V GS = -4.5 V
V GS = -4 V
3.0
2.5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = -4.5 V
20
2.0
10
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = -3.5 V
1.5
1.0
V GS = -6 V
V GS = -10 V
0
0
1
2
3
4
0.5
0
10 20 30
40
50
1.6
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
80
1.4
I D = - 9 A
V GS = -10 V
60
I D = -9 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.2
40
1.0
0.8
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
50
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
50
10
V GS = 0 V
40
30
20
10
V DS = -5 V
T J = 125 o C
T J = 25 o C
1
0.1
0.01
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
5
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS4435BZ Rev.C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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