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参数资料
| 型号： | FDMS4435BZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL POWER56 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
I D = -9 A
5000
8
6
4
V DD = -10 V
V DD = -15 V
V DD = -20 V
1000
C iss
C oss
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
8
16
24
32
40
100
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
10
40
32
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
T J = 25 o C
T J = 100 o C
24
16
V GS = -10 V
T J =
125 o C
Package Limited
V GS = -4.5 V
R θ JC = 3.2 C/W
8
o
1
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
10
-1
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Cate Temperature
100
10
10
10
-2
-3
-4
V GS = 0 V
10
100 μ s
1 ms
10
10
10
10
10
-5
-6
-7
-8
-9
T J = 125 o C
T J = 25
o C
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
TA = 25 o C
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
10
-10
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
33
0.01
0.05 0.1
1
10
100
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Forward Bias Safe
Operating Area
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS4435BZ Rev.C3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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