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参数资料
| 型号： | FDMS5672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 10.6A POWER56 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 22/Aug/2007 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 毫欧 @ 10.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS5672DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
120
4.0
100
80
60
40
V GS = 10V
V GS = 8V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 7V
V GS = 6V
V GS = 5V
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
V GS = 5V
V GS = 6V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 7V
V GS = 8V
20
1.0
0
0
1
2
3
4
0.5
0
20
40
60
V GS = 10V
80
100
120
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.8
ID, DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
30
1.6
I D = 10.6A
V GS = 10V
25
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.4
1.2
1.0
0.8
20
15
10
I D =10.6A
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
5
4
5 6 7 8 9
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
60
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
50
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
V GS = 0V
40
30
1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
20
T J = 25 o C
0.1
T J = -55 o C
10
T J
= 150 o C
T J = -55 o C
0.01
0
2
3 4 5
6
1E-3
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMS5672 Rev.C2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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