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参数资料
| 型号： | FDMS5672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 10.6A POWER56 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 22/Aug/2007 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 毫欧 @ 10.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS5672DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
4000
8
I D = 10.6A
V DD = 20V
V DD = 30V
1000
C iss
6
4
V DD = 40V
C oss
2
100
f = 1MHz
C rss
V GS = 0V
0
0
5
10 15 20 25
30
35
40
0.1
1 10
60
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
70
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
50
40
30
20
V GS = 6V
V GS = 10V
R θ JC = 1.6 C/W
10
o
Limited by Package
1
0.01
0.1 1 10 100
500
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
50
10
100us
1ms
2000
1000
V GS = 10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
-----------------------
1
10ms
100ms
100
I = I 25
125
A
0.1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
1s
10s
10
T A = 25 o C
0.01
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
TA = 25 o C
DC
1
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
0.1
1
10
100 500
0.6
-3
-2
-1
0
1
2
3
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMS5672 Rev.C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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