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参数资料
| 型号： | FDMS7670 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 21A POWER56 |
| 产品变化通告： | Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4105pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS7670DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
I D = 21 A
5000
C iss
8
6
4
V DD = 15 V
V DD = 10 V
V DD = 20 V
1000
C oss
2
100
f = 1 MHz
C rss
0
0
10
20
30
40
V GS = 0 V
50
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
40
120
100
80
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
10
T J =
25 o C
60
V GS = 4.5 V
T J = 125 o C
T J = 100 o C
40
20
R θ JC = 2.0 C/W
Limited by Package
o
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
200
100
10000
1000
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10
1 ms
100
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10 ms
100 ms
10
10
10
10
SINGLE PULSE
0.1 T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
0.01
0.01 0.1
DERIVED FROM
TEST DATA
1 10
1s
10 s
DC
100
10
1
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7670 Rev . D2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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