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参数资料
| 型号： | FDMS86102LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1305pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5X6），Power56 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
5000
I D = 7 A
V DD = 50 V
C iss
8
6
V DD = 25 V
V DD = 75 V
1000
C oss
100
4
2
10
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
4
8
12
16
1
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
50
40
32
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JC = 1.8 C/W
10
T J = 25 o C
T J = 100 o C
T J = 125 o C
24
16
8
Limited by Package
o
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1
0.001
0.01
0.1
1
10 20
0
25
50
75
100
125
150
T C , C ASE TEMPERATURE ( C )
10
-1
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
50
10
-2
V DS = 0 V
10
-3
10
100 us
10
10
10
10
-4
-5
-6
-7
T J = 125 o C
T J = 25
o C
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10
10
-8
-9
0
4
8
12
16
20
24
28
32
0.01
0.005
0.01
0.1
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
1
10
10 s
DC
100
500
V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Gate Leakage Current vs
Gate to Source Voltage
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Forward Bias Safe
Operating Area
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86102LZ Rev. C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS86103L | MOSFET N-CH 100V 12A POWER56 |
| FDMS86104 | MOSFET N-CH 100V 7A POWER56 |
| FDMS86105 | MOSFET N-CH 100V POWER56 |
| FDMS86200 | MOSFET N-CH 150V POWER56 |
| FDMS86201 | MOSFET N-CH 120V POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS86103L | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86104 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86105 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86150 | 功能描述:MOSFET PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86152 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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