参数资料
型号: FDMS86102LZ
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
标准包装: 3,000
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1305pF @ 50V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-PQFN(5X6),Power56
包装: 带卷 (TR)
Dimensional Outline and Pad Layout
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86102LZ Rev. C
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FDMS86103L 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS86104 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS86105 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS86150 功能描述:MOSFET PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS86152 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube