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参数资料
| 型号： | FDMS86200 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2715pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS86200DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
100
4
80
V GS = 10 V
V GS = 6 V
V GS = 5 V
3
V GS = 4 V
60
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 4.5 V
2
V GS = 4.5 V
V GS = 5 V
V GS = 6 V
20
V GS = 4 V
1
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 10 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
20
40
60
80
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.4
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
50
2.0
I D = 9.6 A
V GS = 10 V
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 9.6 A
1.6
30
1.2
0.8
20
T J = 125 o C
0.4
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
10
2
4
6
T J = 25 o C
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
100
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
80
V DS = 5 V
60
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0 V
10
T J = 150 o C
1
40
T J = 150
o C
0.1
T J = 25 o C
T J = 25 o C
20
0
T J = -55 o C
0.01
0.001
T J = -55 o C
2
3
4
5
6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMS86200 Rev.C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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