参数资料
型号: FDMS86200
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 150V POWER56
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫欧 @ 9.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2715pF @ 75V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PQFN,Power56
供应商设备封装: Power56
包装: 标准包装
其它名称: FDMS86200DKR
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
2
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
P DM
t 1
t 2
10
R θ JA = 125 C/W
10
10
0.001
-3
SINGLE PULSE
o
-2
-1
1
10
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
FDMS86200 Rev.C3
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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