- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录422 > FDMS86300 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 80V 19A POWER56 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMS86300 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 19A POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 86nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7082pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS86300DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
250
5
V GS = 8 V
V GS = 7 V
V GS = 5.5 V
200
V GS = 10 V
V GS = 6.5 V
4
V GS = 6 V
V GS = 6.5 V
150
100
V GS = 6 V
V GS = 5.5 V
3
2
V GS = 7 V
V GS = 8 V
50
PULSE DURATION = 80 μ s
1
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0
1
2
3
4
5
0
0
50
100
150
200
250
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
12
1.6
I D = 19 A
V GS = 10 V
9
I D = 19 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.4
T J = 125 o C
1.2
1.0
6
0.8
3
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
250
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
300
200
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
100
10
V GS = 0 V
T J = 150 o C
150
100
T J = 150 o C
1
0.1
T J = 25 o C
T J = 25 o C
50
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
2
3
4
5
6
7
8
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86300 Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS86310 | MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN |
| FDMS86320 | MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN |
| FDMS86322 | MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56 |
| FDMS86500DC | MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN |
| FDMS86500L | MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS86300DC | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86310 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86320 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86322 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86322_F065 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。