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参数资料
| 型号： | FDMS86300 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 19A POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 86nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7082pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS86300DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
10000
I D = 19 A
V DD = 40 V
C iss
8
V DD = 30 V
V DD = 50 V
1000
C oss
6
100
4
2
10
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1
0.1
1
10
80
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
T J = 25 o C
T J = 100 o C
10
140
120
100
80
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
T J = 125 o C
40
Limited by Package
V GS = 8 V
R θ JC = 1.2 C/W
20
o
1
0.01
0.1
1
10
100
500
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
300
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
5000
100
100 μ s
1000
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10
100
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
1 ms
10 ms
100 ms
10
10
10
10
0.1
0.01
0.01
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
0.1 1
10
1s
10 s
DC
100
400
1
0.5 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86300 Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS86310 | MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN |
| FDMS86320 | MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN |
| FDMS86322 | MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56 |
| FDMS86500DC | MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN |
| FDMS86500L | MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS86300DC | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86310 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86320 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86322 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86322_F065 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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