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参数资料
| 型号： | FDMS86500DC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7680pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5X6），Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS86500DCFSDKR |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DSS
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
V DS = 48 V, V GS = 0 V
V GS = ±20 V, V DS = 0 V
60
30
1
±100
V
mV/°C
μ A
nA
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th)
Δ T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
2.5
3.7
-12
4.5
V
mV/°C
V GS = 10 V, I D = 29 A
1.9
2.3
r DS(on)
Static Drain to Source On Resistance
V GS = 8 V, I D = 24 A
2.4
3.3
m Ω
V GS = 10 V, I D = 29 A, T J = 125 °C
3.0
3.7
g FS
Forward Transconductance
V DS = 10 V, I D = 29 A
98
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R g
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 30 V, V GS = 0 V,
f = 1 MHz
0.1
5775
1605
48
1
7680
2680
95
3
pF
pF
pF
Ω
Switching Characteristics
t d(on)
Turn-On Delay Time
35
56
ns
t r
t d(off)
t f
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
V DD = 30 V , I D = 29 A,
V GS = 10 V, R GEN = 6 Ω
25
34
8.2
40
54
17
ns
ns
ns
Q g(TOT)
Q gs
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Total Gate Charge
V GS = 0 V to 10 V
V GS = 0 V to 8 V
V DD = 30 V
I D = 29 A
76
62
31
107
87
nC
nC
nC
Q gd
Gate to Drain “Miller” Charge
15
nC
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 2.7 A
V GS = 0 V, I S = 29 A
I F = 29 A, di/dt = 100 A/ μ s
(Note 2)
(Note 2)
0.71
0.79
59
46
1.2
1.3
95
74
V
ns
nC
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86500DC Rev. C3
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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