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参数资料
| 型号： | FDMS86500DC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7680pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（5X6），Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS86500DCFSDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
200
150
V GS = 8 V
V GS = 7 V
5
4
V GS = 6 V
V GS = 6.5 V
V GS = 10 V
100
V GS = 6.5 V
3
2
V GS = 7 V
V GS = 8 V
50
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 6 V
1
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0
1
2
3
4
5
0
0
50 100
150
200
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
10
1.6
I D = 29 A
V GS = 10 V
8
I D = 29 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.4
6
1.2
1.0
4
T J = 125 o C
0.8
2
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
200
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
200
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
100
V GS = 0 V
150
V DS = 5 V
10
1
T J = 150 o C
100
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.1
T J = 25 o C
50
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
2
3
4
5
6
7
8
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS86500DC Rev. C3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS86500L | MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN |
| FDMS86520L | MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN |
| FDMS86520 | MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN |
| FDMS86540 | MOSFET N-CH 60V 20A 8-PQFN |
| FDMS8670S | MOSFET N-CH 30V 20A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS86500L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS86500L_F142 | 功能描述:MOSFET 60V N-Chan PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDMS86520L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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