- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录423 > FDN304PZ (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDN304PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1310pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN304PZDKR |
Typical Characteristics
10
V GS = -4.5V
-2.5V
3
8
-3.0V
-2.0V
2.5
V GS = -2.0V
-6.0V
6
2
-2.5V
4
2
1.5
1
-3.0V
-3.5V
-4.5V
-6.0V
-10.0V
-1.5V
0
0.5
0
0.5
1
1.5
2
0
2
4
6
8
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.4
0.14
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = -1.2 A
1.3
1.2
1.1
1
I D = -2.4A
V GS = -4.5V
0.12
0.1
0.08
0.06
T A = 125 o C
0.9
0.04
T A = 25 o C
0.8
-50
-25
0 25 50 75
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
100
125
0.02
0
2
4 6
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
8
10
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V DS = - 5V
10
V GS = 0V
8
1
6
0.1
T A = 125 o C
25 o C
-55 C
-55 C
4
T A =
o
0.01
o
125 o C
2
0.001
25 C
0
0
0.5
1
1.5
o
2
2.5
3
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDN304PZ Rev C (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN304P | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 |
| FDN306P | MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 |
| FDN308P | MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 |
| FDN327N | MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3 |
| FDN335N | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN304PZ_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN306P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN306P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDN306P_G | 制造商:Fairchild 功能描述:MOSET , -12V/2.6A, SSOT3 |
| FDN306P-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN306P Series 12 V 40 mOhm P-Channel 1.8V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。