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参数资料
| 型号： | FDN336P-NL |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 376S0091 Q2069479 |
Typical Electrical Characteristics (continued)
5
I D = -1.3A
700
4
V DS = -5V
400
C iss
-10V
3
-15V
200
2
100
C oss
1
40
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
1
2
Q g , GATE CHARGE (nC)
3
4
0.1
0.2
0.5 1 2 5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
20
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
30
Figure 8. Capacitance Characteristics .
50
S(O
LIM
10
3
RD
N)
IT
1 0 m
1m
s
s
40
SINGLE PULSE
R θ JA =270°C/W
T A = 25°C
1
0.3
100
1s
ms
30
20
0.1
0.03
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
R θ JA = 270°C/W
10s
DC
10
0.01
0.2
T A = 25°C
0.5
1
3
5
10
30
0
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
10
100 300
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 270 °C/W
P(pk)
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
t 1
t 2
0.005
T J - T
A
= P * R θ JA (t)
0.002
0.001
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDN336P Rev. D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN337N | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 |
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| FDN340P | MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3 |
| FDN342P | MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN337N | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN337N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| FDN337N_G | 制造商:Fairchild 功能描述:30V/20A MOSFET SOT-3 (Halogen free) |
| FDN337N_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN337N-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN337 Series 30 V 65 mOhm N-Ch Field Effect Transistor - SSOT-3 |
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