型号: | FDN360 |
厂商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
中文描述: | 单P沟道MOSFET的PowerTrenchTM |
文件页数: | 7/8页 |
文件大小: | 231K |
代理商: | FDN360 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDN360P | Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
FDN361BN | 30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
FDN361 | N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ |
FDN361AN | N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ |
FDN371N | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDN360P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDN360P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
FDN360P-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN360P Series 30 V 80 mOhm Single P-Channel PowerTrench Mosfet - SSOT-3 |
FDN361 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ |
FDN361AN | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |