型号: | FDN372S |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 30V N-Channel PowerTrench剖 SyncFET |
中文描述: | 2600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | SUPERSOT-3 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 142K |
代理商: | FDN372S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDN5618 | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
FDN5618P | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
FDN5630 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDP047AN08A0 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз |
FDP047AN08 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDN372S_F095 | 制造商:Fairchild 功能描述:30V/16V, 40/50MO, NCH, SYNCFET |
FDN372S_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDN537N | 功能描述:MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDN5618 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
FDN5618P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |