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参数资料
| 型号： | FDN372S |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench剖 SyncFET |
| 中文描述： | 2600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SUPERSOT-3 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | FDN372S |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN5618 | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDN5618P | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDN5630 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP047AN08A0 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз |
| FDP047AN08 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN372S_F095 | 制造商:Fairchild 功能描述:30V/16V, 40/50MO, NCH, SYNCFET |
| FDN372S_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN537N | 功能描述:MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN5618 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDN5618P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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