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参数资料
| 型号： | FDN5618P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 1.25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDN5618PDKR |
Typical Characteristics
5
V GS = -10V
-6.0V
2.2
2
4
-4.5V
-4.0V
1.8
V GS = -3.0V
-3.5V
-3.0V
3
1.6
-3.5V
2
1.4
1.2
-4.0V
-4.5V
-6.0V
1
-2.5V
1
-10V
0
0
1
2
3
4
0.8
0
1
2
3
4
5
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
T A = 125 C
T A = 25 C
1.3
1.2
1.1
1
0.9
I D = -1.25A
V GS = -10V
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
o
o
I D = -0.65 A
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
T A = 125 C
25 C
-55 C
T A = 125 C
6
5
V DS = - 5V
o
o
o
10
1
V GS = 0V
o
25 C
-55 C
4
3
0.1
0.01
o
o
2
0.001
1
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDN5618P Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN5630 | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
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| FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 |
| FDP027N08B | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN5618P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
| FDN5618P-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN5618P Series 60 V 0.170 Ohm P-Channel Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| FDN5630 | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN5630 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDN5630N | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SuperSOT -3 |
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