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参数资料
型号： FDP020N06B
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 1/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
标准包装： 50
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 2 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 268nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 20930pF @ 30V
功率 - 最大： 333W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220-3
包装： 管件
November 2013
FDP020N06B
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
60 V, 313 A, 2 m Ω
Features
? R DS(on) = 1.65 m Ω ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 100 A
? Low FOM R DS(on) * Q G
? Low Reverse-Recovery Charge, Q rr = 194 nC
? Soft Reverse-Recovery Body Diode
? Enables High Efficiency in Synchronous Rectification
? Fast Switching Speed
? 100% UIL Tested
? RoHS Compliant
Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-
ductor ’s advanced PowerTrench ? process that has been tai-
lored to minimize the on-state resistance while maintaining
superior switching performance.
Applications
? Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
? Battery Protection Circuit
? Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies
? Renewable System
D
GD
S
TO-220
G
S
Absolute Maximum Ratings T C = 25 o C unless otherwise noteed.
Symbol
V DSS
Drain to Source Voltage
Parameter
FDP020N06B_F102
60
Unit
V
V GSS
I D
Gate to Source Voltage
Drain Current
- Continuous (T C = 25 o C, Silicon Limited)
- Continuous (T C = 100 o C, Silicon Limited)
- Continuous (T C = 25 o C, Package Limited)
±20
313*
221*
120
V
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
1252
A
E AS
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
(T C = 25 o C)
- Derate Above 25 o C
(Note 2)
(Note 3)
1859
6.0
333
2.2
mJ
V/ns
W
W/ o C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering, 1/8” from Case for 5 Seconds
-55 to +175
300
o C
o C
* Package limitation current is 120A.
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.
FDP020N06B_F102
0.45
62.5
Unit
o C/W
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP020N06B Rev. C8
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
FDP020N06B_F102 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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FDP025N06 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDP027N08B 功能描述:MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
FDP027N08B_F102 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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