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参数资料
| 型号： | FDP020N06B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 268nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20930pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 333W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
400
Figure 2. Transfer Characteristics
500
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
100
175 C
25 C
-55 C
100
V GS = 15.0V
10.0V
8.0V
10
o
o
o
2. T C = 25 C
10
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
V DS , Drain-Source Voltage[V]
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
2
1
3
4 5 6
V GS , Gate-Source Voltage[V]
7
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
100
175 C
25 C
o
o
1.6
V GS = 10V
10
1.4
V GS = 20V
*Notes:
*Note: T C = 25 C
1.2
0
100
200 300 400 500
o
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
1
0.3 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.3
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
40000
C iss
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
10000
C oss
8
V DS = 12V
V DS = 30V
V DS = 48V
6
1000
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
C rss
2
100
50
0.1
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
60
0
0
30
*Note: I D = 100A
60 90 120 150 180
Q g , Total Gate Charge [nC]
210
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP020N06B Rev. C8
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 |
| FDP027N08B | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 |
| FDP032N08 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 |
| FDP036N10A | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP020N06B_F102 | 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDP025N06 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP027N08B | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| FDP027N08B_F102 | 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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