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参数资料
| 型号： | FDP020N06B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 268nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20930pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 333W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
P DM
0.1
0.05
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.45 C/W Max.
0.01
0.02
0.01
Single pulse
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
0.004
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
1
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP020N06B Rev. C8
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 |
| FDP027N08B | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 |
| FDP032N08 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 |
| FDP036N10A | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP020N06B_F102 | 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP023N08B_F102 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 242A, 2.35mOhms 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RAIL / 80V 2.7mohm TO220 3L NON JEDEC GREEN EMC |
| FDP025N06 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP027N08B | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| FDP027N08B_F102 | 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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