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参数资料
| 型号： | FDP020N06B |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 268nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20930pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 333W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.08
1.04
Figure 8. On-Resistance Varition
vs. Temperature
1.8
1.6
1.4
1.2
1.00
1.0
0.96
*Notes:
1. V GS = 0V
0.8
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.94
-80
-40
2. I D = 250 μ A
0 40 80 120 160 200
o
0.6
-80
-40
2. I D = 100A
0 40 80 120 160
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
5000
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
400
1000
100
10
10us
100us
1ms
10ms
320
240
V GS = 10V
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
160
*Notes:
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
R θ JC = 0.45 C/W
0.1
o
o
80
o
T C , Case Temperature [ C]
0.01
0.1
3. Single Pulse
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
25
50
75 100 125
o
150
175
Figure 11. Unclamped Inductive
Switching Capability
Figure 12. Eoss vs. Drain to Source Voltage
100
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS -V DD )
6
STARTING T J = 25 C
10
If R = 0
t AV = (L/R)In[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS -V DD )+1]
o
o
STARTING T J = 150 C
5
4
3
2
1
1
0.01
0.1
1 10 100 1000
t AV , Time In Avalanche [ms]
10000
0
0
15 30 45
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
60
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP020N06B Rev. C8
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 |
| FDP027N08B | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 |
| FDP032N08 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 |
| FDP036N10A | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP020N06B_F102 | 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDP025N06 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP027N08B | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:PowerTrench® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| FDP027N08B_F102 | 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench 80V 223A 2.7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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