型号: | FDP047AN08 |
厂商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз |
中文描述: | N沟道UltraFET沟道MOSFET 75V的,80A条,4.7mз |
文件页数: | 4/10页 |
文件大小: | 246K |
代理商: | FDP047AN08 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDP047AN08A0 | 功能描述:MOSFET 75V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP047AN08A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
FDP047AN08A0_F102 | 功能描述:MOSFET SNGL NCH 75V 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP047AN08A0_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:75V N-Channel PowerTrenchR MOSFET |
FDP047N08 | 功能描述:MOSFET 75V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |